台积电(TSMC)宣布,与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),后者将根据《芯片法案》向台积电提供约66亿美元的直接拨款,另外初步提供最高55亿美元的贷款。台积电还计划就亚利桑那州工厂资本支出中符合条件的部分,向美国财政部申请最高25%的投资税收抵免。
台积电同时还敲定了在亚利桑那州凤凰城建造第三座晶圆厂,通过最先进的制程技术来满足当地客户的需求。随着新增第三座晶圆厂,台积电的Fab21项目的资本支出从400亿美元提升至650亿美元以上。台积电表示,第三座晶圆厂预计将创造约6000个直接高科技、高薪工作机会,打造充满活力和具备竞争力的全球半导体生态系统劳动力。
据了解,Fab21项目的一期工程初期投入120亿美元,选择了4/5nm工艺的生产线,目前进展良好,计划在2025年上半年投产;二期工程原计划选择3nm工艺的生产线,现在将推进至2nm工艺,预计在2028年投产,前两期工程加起来的总产能为每月5万片晶圆;新增三期工程将采用2nm或更先进的制程技术,预计2030年之前投产。
台积电还将实践绿色制造的承诺,在能源效率、节水、废物管理和空气污染管控等方面不断创新,目标实现90%的水回收率,亚利桑那州工厂已就达到“近零液体排放”的目标进行工业再生水厂的设计阶段。
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台积电从《芯片法案》获得66亿美元补贴 计划在凤凰城建造第三座晶圆厂
人参与 | 时间:2024-12-24 12:43:35
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